快科技7月11日消息，在IEEE 2026电子元件与技术大会（ECTC）上，英特尔全面展示了下一代封装解决方案EMIB-T。EMIB原本采用嵌入式硅桥在局部实现高密度互连，EMIB-T则在硅桥中引入硅通孔实现垂直供电。电流可直穿基板抵达芯片，大幅缩短供电路径、提高供电密度。如果说EMIB是连接芯粒的桥梁，EMIB-T就是一座立交桥。EMIB-T在ECTC 2026上公布了多项关键进展。第一层互连凸点间距缩小至25微米，封装尺寸扩展至120×120毫米。单个封装集成超过9倍光罩面积的计算与存储芯片，实际已突破10倍掩模芯片数量。协同优化信号与供电完整性后，HBM4e传输速率突破12Gb/s，UC